晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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Transko晶振 Transko crystal
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號:59272035
- 頻率:1MHz~80MHz
- 尺寸:5.0x7.0x1.4mm詳情請參考PDF資料
- 產品描述:VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高...
VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振


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VCXO晶振,VG-4231CA振蕩器,進口有源晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

項目 | 符號 | VG-4231CA | VG-4232CA | 條件 | |
---|---|---|---|---|---|
輸出頻率范圍 | f0 | 1.000MHz to 60.000MHz | 60.001MHz to 80.000MHz | 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息。 | |
電源電壓 | VCC |
H:5.0V ±0.5V, C:3.3V ±0.3V |
C:3.3V ±0.165V | ||
壓控電壓 | VC |
H:2.5V ±2.0V, C:1.65V ±1.5V |
1.65V ±1.65V | ||
儲存溫度 | T_stg | -40°C to +125°C | -55°C to +125°C | 裸存 | |
工作溫度 | T_use | 如下表所示 | |||
頻率穩定度 | f_tol | 如下表所示 | VC=2.5V(**H),VC=1.65V(**C) | ||
功耗 | ICC |
H:20mA Max. , C: 10mA Max. |
35mA Max. | 無負載條件 | |
輸出禁用電流 | I_dis |
H:15mA Max. , C: 7mA Max. |
25mA Max. | OE=GND | |
頻率控制范圍 | F_cont | R:±130 × 10-6 | - | ||
絕對頻率 控制范圍 *1 |
APR |
D:±80 × 10-6 Min., G:±65 × 10-6 Min. |
±50 × 10-6 Min. | ||
調制特性 | BW | 15kHz Min. | 5kHz Min. | ±3dB(at 1kHz) | |
輸入電阻 | Rin | 50kΩ Min. | 80kΩ Min. | F或T類型 | DC極 |
H:- , C:10MΩ Min. | - | M或Z類型 | |||
頻率變化極 | - | 正極 | |||
占空比 | SYM | 40% to 60% | 45% to 55% | CMOS負載:50% VCC極 | |
輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. | 90% VCC Min. |
IOH=-4mA(**H) IOH=-0.8mA(**C) |
|
0.4V Max. | 10%VCC Max. |
IOL=4mA(**H ) ,IOL=3.2mA(**C) |
|||
輸出負載條件 (CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. | CMOS負載 | ||
輸入電壓 | VIH | 70% VCC Min. | OE 終端 | ||
VIL | 30% VCC Max. | ||||
上升/下降時間 | tr / tf | 4ns Max. | 5ns Max. |
CMOS負載: 20% VCC to 80% VCC極 |
|
振蕩啟動時間 | t_str | 10ms Max. | 在90% VCC 時,所需時間為0秒 | ||
頻率老化 | f_aging | ±10 × 10-6 Max. *2 | 頻率穩定度包含 | +25°C,10年 |
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晶振是一種易碎元器件,1,對于晶振的保存方式,首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風的地方,使其晶體避免受潮導致其他電氣參數發生變化.2,其次對于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程,也不宜使晶振跌落,一般來說,從高空跌落的晶振不應再次使用.3,在晶振焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時間也不宜過長,防止晶體因此發生內變,而產生不穩定.4,晶振外殼需要接地時,應該確保外殼和引腳不被意外連通而導致短路.從而導致晶體不起振,5,保證兩條引腳的焊錫點不相連,否則也會導致晶體停振,6,對于需要剪腳的晶振,應該注意機械應力的影響。7,焊錫之后,要進行清洗,以免絕緣電阻不符合要求