晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣鴻星晶體 HOSONIC
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
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臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
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臺灣亞陶晶體 百利通亞陶
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臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
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瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振
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富士晶振 日本富士貼片晶振
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振
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SMI晶振 日本SMI貼片晶振
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振
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NKG晶振 NKG石英晶振
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NJR晶振 日本NJR晶振
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Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
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Statek晶振 Statek貼片晶體
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Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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日蝕晶振 Ecliptek Crystal
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
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瑞康晶振 Rakon石英晶體
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
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ECS晶振 ECS CRYSTAL
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Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
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CTS晶振 西迪斯晶振
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
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微晶晶振 Microcrystal Crystal
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AEK晶振 AEK CRYSTAL
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AEL晶振 AEL CRYSTAL
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Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
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Crystek晶振 Crystek石英晶振
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Fox晶振 Fox有源晶振
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
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KVG晶振 KVG石英晶體
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ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
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QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
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Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
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Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
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Transko晶振 Transko crystal
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Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
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Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL
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ACT晶振 ACT石英晶振
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Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
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ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
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MTI-milliren晶振 MTI Crystal
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PDI晶振 PDI CRYSTAL
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IQD晶振 IQD CRYSTAL
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Silicon晶振 Silicon Crystal
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安德森晶振 Anderson Crystal
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富通晶振 Fortiming Crystal
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CORE晶振 CORE CRYSTAL
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
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NIC晶振 NIC Crystal
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QVS晶振 QVS CRYSTAL
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Bomar晶振 Bomar Crystal
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Bliley晶振 Bliley Crystal
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GED晶振 GED CRYSTAL
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FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
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Standard晶振 Standard Crystal
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Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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NEL晶振 美國NEL晶振
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EM晶振 EM CRYSTAL
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PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
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FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
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HEC晶振 HEC CRYSTAL
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FMI晶振 FMI CRYSTAL
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
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AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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有源晶振 Oscillator
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號:94545483
- 頻率:40.000MHZ-160.000MHZ
- 尺寸:7.0*5.0*1.5mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述:廣泛應用于食品加工設備,全自動包裝設備,便捷智能環保設備,自動化儀表,塑料加工儀器,自動化制藥機械等大中型機器設備.
希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振


希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振
參數:頻率范圍40.000MHZ-160.000MHZ
電源電壓: 3.3V
工作溫度: -10℃~+70℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±30ppm,±50ppm,±100ppm,
輸出方式:LVPECL
占空因數:45~55% at 50%
尺寸:大體積7.0*5.0*1.5
應用:電工儀器儀表,水污染防治設備,光學儀器,建筑物工程設備,農業機械設備,重型礦山機械,起重機械,裝卸設備等產品。
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售。從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務。
敏銳地掌握SMD晶振產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產,藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。
希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振,是臺灣進口的一款7050mm大體積六腳的石英晶體振蕩器,在如今各種小尺寸的晶振中,此晶振算是比較早期研發的石英晶振,但比起3225mm,2520mm和2016mm等小型晶體,OSC57A晶振的優勢在于適用中大型的機械設備或者各類檢測儀,40.000-160.000MHZ的高頻率,使其能充分發揮振動功能。
希華晶振型號/輸出類型 | OSC57A晶振,希華有源晶體 |
晶振類型 | OSC振蕩器 |
輸出方式 | LVPECL |
振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
電源電壓 | 3.3V |
頻率范圍 | 40.000MHZ-160.000MHZ |
頻率穩定度 | ±30ppm,±50ppm,±100ppm |
工作溫度 | - 10 ~ + 70℃ |
保存溫度 | - 40 ~ + 85℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) | 0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動時間 | 5 ms Max. |
相位抖動(12千赫?20兆赫) | 1個PS最大。 |
老化率 | ±3 ppm /年最大。 |



1.存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存石英晶體產品時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容)。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
9.安裝時注意事項
2.耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害貼片晶振。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD產品。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD產品使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
3.自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保臺灣晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。
1.驅動能力
驅動能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。


代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
電話:0755-27837162
手機:13510569637
郵箱:jinluodz@163.com
Q Q:657116624
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