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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振

    泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振

  • 規(guī)格型號(hào):2564576
  • 頻率:2.048MHZ~125.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.2mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),數(shù)碼IT,汽車電子,安防報(bào)警系統(tǒng),電動(dòng)工具,光纖通道等行業(yè)產(chǎn)品.

泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振
參數(shù):頻率范圍2.048MHZ-125.000MHZ
電源電壓:3.3V
負(fù)載電容: 15F
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±20ppm,±25ppm,±50ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:中小型5.0*3.2*1.2
應(yīng)用:移動(dòng)通信終端基準(zhǔn)時(shí)鐘,全球GPS定位模塊,串行連接SCSI,數(shù)控設(shè)備,井下儀器,無線模塊等產(chǎn)品。

        泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英晶振相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英頻控組件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn)。經(jīng)由四十年的持續(xù)努力,泰藝電子已是石英頻率解決方案的世界知名廠商。泰藝遍布全球的服務(wù)據(jù)點(diǎn)能為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品服務(wù)與技術(shù)咨詢。

       泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振,這一款貼片型金屬外殼封裝的石英晶體振蕩器,擁有3.3V驅(qū)動(dòng)的低電壓,+/-20ppm的高精度,自問世以來一直活躍于電子市場(chǎng)上,被確認(rèn)為最合適應(yīng)用在民用小型化的數(shù)碼電子產(chǎn)品上,OV晶振可有效的為產(chǎn)品節(jié)約占位空間,能在惡劣的條件下保持良好的穩(wěn)定振動(dòng)。

泰藝晶振型號(hào)/輸出類型 OV晶振,進(jìn)口貼片晶振
晶振類型 OSC振蕩器
輸出方式 CMOS
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍 2.048MHZ-125.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±20ppm,±25ppm,±50ppm
工作溫度 -40~+-85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD/0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。 
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。 
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞有源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過振蕩器單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在SMD晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致這款臺(tái)灣晶振頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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