晶振系列
- 陶瓷霧化片 wuhuapian
- 陶瓷晶振 taocijingzhen
- 32.768K Clock crystal
- 貼片晶振 SMDcrystal
- 石英晶振 Quartz Crystal
- 聲表面濾波器 Quartz Crystal
- 聲表面諧振器 resonator
- 陶瓷濾波器 taocilvboqi
- KDS晶振 KDS CRYSTAL
- 精工晶振 SEIKO CRYSTAL
- 村田晶振 muRata CRYSTAL
- 西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
- 愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
- 微孔霧化片 微孔霧化片
- 臺(tái)灣加高晶體 H.ELE
- 進(jìn)口京瓷晶體 KYOCERA
- 日本NDK晶體 進(jìn)口NDK晶體
- 日本大河晶體 RIVER
- 美國(guó)CTS晶體 CTS石英晶體
- 臺(tái)灣希華晶體 臺(tái)灣希華
- 臺(tái)灣鴻星晶體 HOSONIC
- 臺(tái)灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
- 臺(tái)灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
- 臺(tái)灣亞陶晶體 百利通亞陶
- 臺(tái)灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
- 瑪居禮晶振 臺(tái)灣瑪居禮晶振
- 富士晶振 日本富士貼片晶振
- SHINSUNG晶振 韓國(guó)進(jìn)口SHINSUNG晶振
- SMI晶振 日本SMI貼片晶振
- Lihom晶振 韓國(guó)Lihom晶振
- NAKA晶振 日本納卡株式會(huì)社晶振
- AKER晶振 臺(tái)灣安碁貼片晶振
- NKG晶振 NKG石英晶振
- NJR晶振 日本NJR晶振
- Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
- Statek晶振 Statek貼片晶體
- Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
- Jauch晶振 Jauch Crystal
- 日蝕晶振 Ecliptek Crystal
- IDT晶振 IDT進(jìn)口晶振
- 格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
- 高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
- 維管晶振 Vectron Crystal
- 拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
- 瑞康晶振 Rakon石英晶體
- 康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
- ECS晶振 ECS CRYSTAL
- Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
- CTS晶振 西迪斯晶振
- SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
- 微晶晶振 Microcrystal Crystal
- AEK晶振 AEK CRYSTAL
- AEL晶振 AEL CRYSTAL
- Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
- Crystek晶振 Crystek石英晶振
- Fox晶振 Fox有源晶振
- Frequency晶振 Frequency Crystal
- GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
- KVG晶振 KVG石英晶體
- ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
- Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
- MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
- MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
- QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
- QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
- Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
- Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
- Transko晶振 Transko crystal
- Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
- Rubyquartz晶振 進(jìn)口Rubyquartz CRYSTAL
- ACT晶振 ACT石英晶振
- Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
- ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
- MTI-milliren晶振 MTI Crystal
- PDI晶振 PDI CRYSTAL
- IQD晶振 IQD CRYSTAL
- Microchip晶振 Microchip crystal
- Silicon晶振 Silicon Crystal
- 安德森晶振 Anderson Crystal
- 富通晶振 Fortiming Crystal
- CORE晶振 CORE CRYSTAL
- NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
- NIC晶振 NIC Crystal
- QVS晶振 QVS CRYSTAL
- Bomar晶振 Bomar Crystal
- Bliley晶振 Bliley Crystal
- GED晶振 GED CRYSTAL
- FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
- Standard晶振 Standard Crystal
- Q-Tech晶振 美國(guó)Q-Tech晶振
- Wenzel晶振 Wenzel Crystal
- NEL晶振 美國(guó)NEL晶振
- EM晶振 EM CRYSTAL
- PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
- FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
- HEC晶振 HEC CRYSTAL
- FMI晶振 FMI CRYSTAL
- 麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
- AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計(jì)波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國(guó)的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計(jì)算機(jī),IT和無線通信公司無任何界限的信息時(shí)代.我們秉承經(jīng)營(yíng)者的踏實(shí),誠(chéng)懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實(shí)現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠(chéng)信為本,誠(chéng)信為本,公平交易為宗旨,以誠(chéng)信,勤勉,誠(chéng)信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營(yíng)理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價(jià)格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
- SKYWORKS晶振
- Renesas瑞薩晶振
- 貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
- 貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
- 有源晶振 Oscillator
- 石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
- 壓控晶振 VCXO進(jìn)口晶振
- 壓控溫補(bǔ)晶振 VC-TCXO CRYSTAL
- 恒溫晶振 OCXO有源晶振
- 差分晶振 差分石英晶體振蕩器
- 數(shù)碼產(chǎn)品
- 醫(yī)療產(chǎn)品
- 汽車產(chǎn)品
- 移動(dòng)產(chǎn)品
- 智能家居
- 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號(hào):2564576
- 頻率:2.048MHZ~125.000MHZ
- 尺寸:5.0*3.2*1.2mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
- 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),數(shù)碼IT,汽車電子,安防報(bào)警系統(tǒng),電動(dòng)工具,光纖通道等行業(yè)產(chǎn)品.
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振
參數(shù):頻率范圍2.048MHZ-125.000MHZ
電源電壓:3.3V
負(fù)載電容: 15F
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±20ppm,±25ppm,±50ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:中小型5.0*3.2*1.2
應(yīng)用:移動(dòng)通信終端基準(zhǔn)時(shí)鐘,全球GPS定位模塊,串行連接SCSI,數(shù)控設(shè)備,井下儀器,無線模塊等產(chǎn)品。
泰藝電子多年來致力于研發(fā)創(chuàng)新,部分核心技術(shù)是臺(tái)灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英晶振相關(guān)制造技術(shù)專利;未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英頻控組件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn)。經(jīng)由四十年的持續(xù)努力,泰藝電子已是石英頻率解決方案的世界知名廠商。泰藝遍布全球的服務(wù)據(jù)點(diǎn)能為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品服務(wù)與技術(shù)咨詢。
泰藝晶振,OV晶振,5032晶振,進(jìn)口晶振,這一款貼片型金屬外殼封裝的石英晶體振蕩器,擁有3.3V驅(qū)動(dòng)的低電壓,+/-20ppm的高精度,自問世以來一直活躍于電子市場(chǎng)上,被確認(rèn)為最合適應(yīng)用在民用小型化的數(shù)碼電子產(chǎn)品上,OV晶振可有效的為產(chǎn)品節(jié)約占位空間,能在惡劣的條件下保持良好的穩(wěn)定振動(dòng)。
泰藝晶振型號(hào)/輸出類型 | OV晶振,進(jìn)口貼片晶振 |
晶振類型 | OSC振蕩器 |
輸出方式 | CMOS |
振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
電源電壓 | 3.3V |
頻率范圍 | 2.048MHZ-125.000MHZ |
頻率穩(wěn)定度 | ±20ppm,±25ppm,±50ppm |
工作溫度 | -40~+-85℃ |
保存溫度 | -55~+125℃ |
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) | 0.1 VDD/0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 | 5 ms Max. |
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) | 1個(gè)PS最大。 |
老化率 | ±3 ppm /年最大。 |
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞有源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過振蕩器單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補(bǔ)償
除非在SMD晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致這款臺(tái)灣晶振的頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
深 圳 市 金 洛 電 子 有 限 公 司
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