來自荷蘭的FCD-Tech晶振公司，是重要的頻率控制元器件和微波射頻產品的供應商，擁有完整完善的石英晶體和晶體振蕩器產線，與國際上許多知名的微處理器工廠合作。微處理器是一種由一片或少數幾片大規模集成電路組成的中央處理器，是許多產品不可缺少的一部分，對組成的電子元件非常嚴格，使用在微處理器身上的晶振不僅要尺寸小，而且性能和穩定性方面要求也比較高。以下內容是FCD-Tech Crystal公司為大家提供的，關于如何選擇微處理器晶振的技術信息。
除非在微處理器數據表中另有規定，否則本應用筆記可用作選擇晶體的一般指導，該晶體可與許多領先的微處理器制造商一起使用。大多數微處理器都包括一個帶正反饋電阻（典型值為1MO）的逆變器設計，帶有一個可選的串聯電阻，其值在10歐姆到1K歐姆之間變化（見圖A）

它具有輸入端口（通常稱為XIN，XI，XTALI或類似性質）和輸出端口（XOUT，XO，XTALO或類似性質），用于這兩個端口之間的晶體單元連接。大多數芯片都設計有一個選項，可以通過外部時鐘振蕩器驅動，輸入到晶體輸入端口，也可以使用外部晶振。
繪制石英晶體振蕩器根據共振頻率，可以選擇晶體作為基波或泛音模式。通常，28MHz以上的頻率需要第三個泛音模式以獲得價格優勢和交付。在并聯模式中，晶體電抗是電感性的，需要兩個外部電容器（C1）和（C2）來實現必要的振蕩相移。無論晶體處于基本模式還是泛音模式，都需要C1和C2。C1和C2的值由芯片制造商規定，從6pF到47pF不等。
C1和C2可能不平衡，即值相等，但有時會以特定比率（C1/C2）偏移以獲得最佳性能，具體取決于晶體和放大器特性以及電路板布局。圖B示出了基模操作的典型配置。在泛音模式中，需要額外的電感器L1和電容Cc來選擇第三泛音模式，同時抑制或拒絕基模。選擇第三泛音石英晶振電路中的L1和Cc值以滿足以下條件。來自串聯諧振電路的L1，Cc分量的頻率低于基頻，這使得電路在基頻下看起來是電感性的。這種情況不利于基模的振蕩。

來自并聯諧振電路的L1，Cc和C2分量的頻率大約在基波和第三泛音頻率之間的中間。這種情況使電路在第三泛音頻率處電容，這有利于在所需的泛音模式下的振蕩。（見圖C）

在標準泛音模式下，C2值從10pF到30pF不等。Cc值應選擇至少為C2值的10倍，因此其等效C-equiv。將近似值。不同晶體頻率的L1典型值：

圖D示出了40.320MHz，第三泛音模式操作的典型電路配置。

負電阻測量：
當晶振在振蕩電路中作為感應無功電抗被驅動時，晶體單元和振蕩電路之間的關系如圖E所示。為了改善振蕩電路的起始條件，可以增加振蕩電路的值。負電阻-R-振蕩電路的哪個參數。如果沒有很大負電阻（較小負電阻）的電路與具有較大諧振電阻的晶體單元組合，則啟動條件將變得更糟。振蕩電路應設計成使得負電阻值為諧振電阻的5至10倍。

還需要將負載電容的中心值（確定振蕩頻率的絕對值）和可變范圍（振蕩頻率的微調范圍）保持在振蕩電路中的最佳值。
負阻測量程序：
-打開所用主電路中晶體單元的任一端，并將可變電阻器串聯插入諧振器單元，如圖E所示。
-改變電阻值以檢查當時觀察到的振蕩極限和電阻（歐姆）。在這種情況下，必須打開和關閉電源電路。
-電路中的負電阻（-R）是通過上述方法獲得的值與壓電晶體的諧振電阻R1之和。
-該測量應在工作頻率的上限和下限進行

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