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首頁金洛博客 6G常用晶體振蕩器的處理和測試C5S-19.000-18-3030-R

6G常用晶體振蕩器的處理和測試C5S-19.000-18-3030-R

來源：http://m.11ed.cn 作者：金洛鑫 2023年06月25

本篇文章主要提供了與晶體振蕩器測試相關的一些常見問題的答案。

1. ESD(靜電敏感器件)處理

晶體振蕩器是靜電敏感器件，避免用手指直接接觸端子。必須按照IEC 61340-5-1和EN 100015-1建立的ESD處理規則進行正確的處理，以避免靜電損壞內部電路而導致振蕩器性能下降。如果沒有特別說明，我們的振蕩器符合根據IEC 61000-4-2的人體模型(HBM)的要求。

2. 處理

在操作過程中以及手動和自動組裝過程中，必須避免過度的機械沖擊。如果振蕩器無意中被摔落或受到強烈沖擊，應驗證其電氣功能是否仍在規范范圍內。

3.電力供應

為避免電勢失控，石英晶體振蕩器應在所有端子連接正確后才上電。必須避免將“熱插入”到已經連接到電源的夾具中，

極性錯誤或電源電壓過高會對振蕩器造成永久性損壞。

強烈建議在振蕩器的直流電源輸入(VCC)端子和接地(GND)端子之間增加一個或兩個接線最短的阻塞電容。典型值為10nf (X7R)和100pf (C0G)。µF范圍內的額外散裝電容器可以插入電路板上的任何位置，良好的工程實踐是使用接地和供電電壓平面(多層)印刷電路板。

如果振蕩器輸出信號的低相位噪聲是一個問題，在選擇低噪聲、低雜散的電源時必須特別注意。對于參考測量，強烈建議使用電池操作。

4. 輸出功率
a.正弦波輸出50 Ω終止

50 Ω終端應直接連接在RF輸出端或50 Ω同軸電纜的末端。如果需要多個連接(例如到示波器或功率計和頻率計數器)，則應使用50 Ω功率分配器或耦合器。為了精確的幅度測量，必須確保測試儀器的輸入阻抗精確地為50 Ω，且駐波比在規定的范圍內。對于某些示波器和頻率計數器來說，情況并非如此。在這種情況下，應在儀器輸入端插入10db衰減器b.單方波(邏輯)輸出

i.TTL輸出
CL = 5 pF per gate (fan-out). It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
ii.(H)CMOS和LVCMOS輸出

CL = 15 pF or 50 pF, depends on the specification. It includes the input capacitance of the probe or oscilloscope
c.兩個互補的方波輸出

i.PECL輸出

ii.LVDS輸出

注意：同軸電纜，其端接不以其標稱阻抗(通常50 Ω)會造成輸出信號的失真和退化，原因有兩個
-阻抗失配會產生反射，從而導致波形失真。對方波邏輯輸出信號的影響尤其顯著。
-非端接同軸電纜對地的輸入阻抗約為100pf /米(只要電纜長度比四分之一波長小)。該電容與所連接設備(如測試儀器)的輸入電容相連接，產生電容性過載條件，從而使輸出電壓失真和退化。
5. 電子頻率控制(EFC)
為電子頻率控制(EFC)提供手段的晶體振蕩器必須正確連接，以確保在規定的公差范圍內以標稱頻率運行。在任何情況下都應該避免EFC (VC)輸入浮動。
a.外部控制電壓
如果EFC輸入由外部直流控制電壓饋送，則必須注意，通過直接在VC和進口晶體振蕩器的接地(GND)端子之間施加控制電壓來避免帶有直流電源電流的接地回路。
注意:來自EFC電源的噪聲可能會降低射頻信號的相位噪聲和抖動性能。因此，電池或超低噪聲直流電源對于精確的相位噪聲和抖動測量是必要的。為避免噪音進入EFC端口，EFC引腳不應保持浮動打開狀態。
b.外部電位器
如果外部電位器用于頻率控制，其電阻應低于EFC (VC)輸入的輸入阻抗至少五倍。
某些振蕩器(TCXO和OCXO)提供單獨的參考電壓輸出(VREF)端子，用于提供頻率控制電位器。該參考電壓具有低噪聲，并且在制造過程中的溫度補償過程中考慮了其對溫度的穩定性。連接方案如下所示：

電位器POT應該是低噪聲(金屬陶瓷或金屬薄膜)類型，其電阻值必須選擇這樣，即不超過VREF輸出的最大允許電流損耗。10 kΩ在大多數情況下是合適的，強烈建議在VC輸入處附加濾波。
6. 溫度下頻率穩定性測試
重要的定義
工作溫度范圍:振蕩器保持規格的溫度范圍。
可工作溫度范圍:振蕩器仍可工作的溫度范圍，但可能超過某些參數。
  • 頻率對溫度穩定性：在額定電壓和負載條件下，在工作溫度范圍內振蕩器頻率的最大偏差，沒有隱含參考，其他條件不變。
    • f-T stability = ±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
    初始頻率-溫度精度:振蕩器頻率的最大偏差是指在標稱電源和負載條件下，在工作溫度范圍內的標稱頻率，其他條件不變。
f-T accuracy = ± MAX[δfmax,δfmin],
where δfmax = |(fmax-fnom)/fnom|
δfmin = |(fmin-fnom)/fnom|
注:對于SPXO和VCXO，有時頻率在參考溫度下使用fref(25°C)代替fnom作為參考
測試程序：一種用于評估產品、系統或組件性能的標準化過程，通常包括一系列特定的測試步驟、條件和評估標準。
振蕩器應承受2米/秒至3米/秒的適度空氣循環。這對于測量OCXO尤其重要。如果在靜止空氣中測量，如果腔室溫度接近工作溫度范圍的上限，則內部烘箱的溫度控制可能不再正常工作。對于PXO和VCXO，溫度斜坡應小于5K/min，且小于對于OCXO和具有較高熱質量的裝置1K/min。應通過適當的浸泡時間使腔室穩定在規定的溫度下，輸出頻率(和振幅)的測量應在達到熱平衡后以足夠的精度和分辨率進行。
7.相位噪聲測試
為了獲得準確的結果，必須采取一些預防措施
a.電源電壓應具有低噪聲。避免使用開關電源(PSU)。建議使用電池操作。推薦使用>100µF的高電容阻斷電容。
b.電子頻率控制(EFC)輸入對噪聲非常敏感，因為它直接調制晶體振蕩器級。因此控制電壓(VC)必須來自極低噪音的直流電源，最好是電池。一些相位噪聲測試儀器提供了一個合適的噪聲源。控制電壓應通過屏蔽(同軸)電纜連接。如果振蕩器包含參考電壓(VREF)輸出，則強烈建議根據第5b段所示的電路從中導出控制電壓，或者，VC輸入可以連接到地引腳。
c.為避免環境雜散響應的干擾，建議將被測設備放置在電磁屏蔽柜中。
d.由于其固有的壓電性，振蕩器中的晶體單元對任何機械振動都非常敏感。因此，被測振蕩器不應與被測設備放在同一臺，因為它的振動是由風扇和變壓器引起的。
e.如果必須測量非常低的本底噪聲級，則必須注意測試儀器的本底噪聲足夠低，并且相關的數量足夠高(在互相關測試模式下)。
8. 短期穩定性檢驗
短期穩定性的推薦指標是所謂的艾倫偏差(ADEV)或重疊艾倫偏差(OADEAV)。參見IEC 62884-4。
現代高分辨率計數器的使用可能由于內部插值過程而導致錯誤的結果。為避免干擾和觸發錯誤，必須采取以下預防措施:
-在測試裝置中避免接地回路
-使用相穩定電纜
-通過方波產生，被測信號必須具有快速的上升和衰減時間，并具有較低的附加抖動和遲滯
-對于電源電壓和控制電壓，必須考慮與相位噪聲測量相同的考慮因素(見第7段)
-環境溫度必須盡可能穩定。強烈建議對環境和氣流進行隔熱，必須嚴格避免噪音和振動
-當被測振蕩器的電磁靈敏度較高時，可能需要對被測振蕩器進行電磁屏蔽
在計算分析之前，應該對數據集進行一致性檢查。如果確定這些異常值，即相位或頻率跳變是由外部影響引起的，而不是來自信號發生器，則應識別并去除這些異常值。
在開始數據采集之前，振蕩器必須在較長的穩定時間內連續工作。溫度穩定振蕩器(OCXO)需要比其他振蕩器類型(SPXO, VCXO和TCXO)更長的穩定時間。根據經驗，穩定的標準值應不少于12小時，對于OCXO和其他參考測量，被測振蕩器應至少穩定24小時。
9. 頻率老化試驗
振蕩器應連續30天保持在規定的溫度、公差和穩定性。插入烘箱后，應使振蕩器與室內空氣溫度保持平衡。然后振蕩器應通電并穩定1小時，然后開始測量采集周期。振蕩器的初始頻率應在穩定期(1小時)后立即測量，此后每隔不超過72小時測量一次(每次最長間隔為96小時除外30天的期限是允許的)，至少30天。老化溫度為+70℃或規定的最高工作溫度，以較低者為準。
在插入烤箱后，晶體振蕩器在開始測量采集前應在老化溫度下穩定48小時(除非另有規定)。每個單元的頻率應在穩定期后立即測量，然后每周至少測量四次，間隔至少為20小時。
a.非溫度穩定振蕩器的老化試驗
-至少通電一小時
-在參考溫度下的初始頻率測量，例如25°C
−在Toven(如85°C或TBD)的烤箱中儲存，但不高于最高可操作溫度。
−1、2、5、10、20天后的中間測量。
−測量時，請將振蕩器從烤箱中取出，在室溫下保存1小時，以免溫度沖擊
−參考溫度下測量頻率
−頻率@參考溫度30天后的最終測量
b.OCXO老化試驗
-OCXO保持在室溫下
−至少上電2小時。
−中間頻率測量每周5次(AXTAL:每小時1次)。
−30天后頻率的最終測量。
−從第3天開始的數據進行擬合和評估。
所獲得的測量值應使用最小二乘法擬合下列函數之一:
− Logarithmic Fit: f(t)Log = a0 + a1· log (a2· t + 1)
− Polynomial Fit: f(t)Poly = a0 + a1 · t + a2 · t 0.5,
其中f(t)為晶體振蕩器的頻率，老化周期開始后的第t天，a0, a1, a2是由最小二乘擬合確定的常數。
在規定周期結束時，總頻率變化和老化率應使用最小二乘擬合確定的常數由上式確定。
一段時間內預計的總頻率變化應按以下公式計算:
− Aging per day (aging rate) = f(d0 + 1) - f(d0)
− Aging per month = f(d0 + 30) - f(d0)
− Aging per year = f(d0 + 365) - f(d0),
其中f(t)為老化近似a)或b)中的一個，擬合參數為a0、a1、a2, d0為老化試驗的最后一天加30天。
注意：通常使用相對頻率?f/f (ppm或ppb)代替頻率f (Hz)。
10. 根據MIL-PRF-55310進行篩選
對高可靠性振蕩器進行了100%篩選試驗。對于高可靠性空間應用，采用S級篩選，對于其他高可靠性應用，采用B級篩選。對于第1類振蕩器(離散技術)和第3類振蕩器(混合技術)，篩選程序包括以下步驟:
Test Level S Level B
Random vibration MIL-STD-202, meth. 214,cond. I-B, 5 min/axis N/A
Thermal shock MIL-STD-202, meth. 107,cond. A-1 MIL-STD-202, meth. 107,cond. A-1
Electrical test:
input current/power
Output waveform
Output level
As specified
X
X
X
X
N/A
N/A
N/A
X
Burn-in (load) 240 h @ max. operating temperature 160 h @ max. operating temperature
Electrical test:
input current/power
Output waveform
Output level
As specified
X
X
X
X
N/A
N/A
N/A
X
Seal test MIL-STD-202, meth. 112 MIL-STD-202, meth. 112
Radiographic MIL-STD-202, meth. 209 N/A
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原廠編號 品牌供應商 型號 頻率 頻率穩定性 頻率容差 負載電容
C16-32.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 32 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-24.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 24 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-25.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 25 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-26.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 26 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-27.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 27 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-28.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 28 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-29.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 29 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-30.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 30 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-36.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 36 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-38.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 38 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-39.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 39 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-46.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 46 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-47.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 47 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-48.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 48 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-49.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 49 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-50.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 50 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-51.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 51 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-52.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 52 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C16-53.000-8-1515-X-R Aker晶振 C16 53 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C1E-25.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 25 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-26.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 26 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-27.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 27 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-28.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 28 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-29.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 29 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-30.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 30 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-31.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 31 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-32.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 32 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-33.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 33 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-34.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 34 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-35.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 35 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-36.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 36 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-37.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 37 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-38.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 38 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-39.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 39 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-40.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 40 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-41.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 41 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-42.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 42 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-43.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 43 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-44.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 44 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C1E-45.000-20-2030-R Aker晶振 C1E 45 MHz ±30ppm ±20ppm 20pF
C16-32.000-8-3030-X-R Aker晶振 C16 32 MHz ±30ppm ±30ppm 8pF
C2E-16.000-8-1530-X-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±30ppm ±15ppm 8pF
C1E-24.000-8-1515-R Aker晶振 C1E 24 MHz ±15ppm ±15ppm 8pF
C2E-24.000-10-1010-R Aker晶振 C2E 24 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C1E-16.000-10-1010-R Aker晶振 C1E 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C2E-25.000-10-3030-X-R Aker晶振 C2E 25 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF
C5S-17.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 17 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-18.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 18 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-19.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 19 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-20.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 20 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-21.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 21 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-22.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 22 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-23.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 23 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-24.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 24 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-25.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 25 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-26.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 26 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-27.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 27 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-28.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 28 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-29.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 29 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-30.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 30 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-31.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 31 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-32.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 32 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-33.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 33 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-34.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 34 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-35.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 35 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C5S-36.000-18-3030-R Aker晶振 C5S 36 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
C2E-16.000-10-1010-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
C16-26.000-8-1520-R Aker晶振 C16 26 MHz ±20ppm ±15ppm 8pF
C1E-32.000-10-1015-X-R Aker晶振 C1E 32 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C1E-24.000-10-1015-M Aker晶振 C1E 24 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C1E-48.000-8-1015-X-R Aker晶振 C1E 48 MHz ±15ppm ±10ppm 8pF
C1E-18.000-10-1015-R Aker晶振 C1E 18 MHz ±15ppm ±10ppm 10pF
C2E-16.000-12-3030-X-R Aker晶振 C2E 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF
C7S-8.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 8 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C5S-12.000-18-1020-R Aker晶振 C5S 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C3E-20.000-8-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 20 MHz ±50ppm ±30ppm 8pF
C3E-20.000-10-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 20 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
C3E-16.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 10 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C3E-12.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C2E-12.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C2E-12.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 12 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C3E-16.000-10-3050-X1-R Aker晶振 C3E X1 16 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
C2E-20.000-10-2050-X1-R Aker晶振 C2E X1 20 MHz ±50ppm ±20ppm 10pF
C3E-30.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 8 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C3E-16.000-8-2050-X1-R Aker晶振 C3E X1 16 MHz ±50ppm ±20ppm 8pF
C7S-16.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 16 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-17.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 17 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-18.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 18 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-19.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 19 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-20.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 20 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-21.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 21 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-22.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 22 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-23.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 23 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-24.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 24 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-25.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 25 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-26.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 26 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-27.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 27 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-28.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 28 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-29.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 29 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-30.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 30 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-31.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 31 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-32.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 32 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-33.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 33 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-34.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 34 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-35.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 35 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-36.000-18-1020-R6 Aker晶振 C7S 36 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-37.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 37 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-48.000-18-1020-R Aker晶振 C7S 48 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C7S-8.000-18-1030-X-R Aker晶振 C7S 8 MHz ±30ppm ±10ppm 18pF
C2E-12.000-18-1020-X-R Aker晶振 C2E 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C2E-12.000-18-1020-R Aker晶振 C2E 12 MHz ±20ppm ±10ppm 18pF
C2E-19.200-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 19.2 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-32.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 32 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-33.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 33 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
C2E-34.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 34 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF
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C2E-36.000-13-2030-X-R Aker晶振 C2E 36 MHz ±30ppm ±20ppm 13pF

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