華為手機專用SPXO有源晶振X1G005601024800
來源:http://m.11ed.cn 作者:aiud 2022年09月26
華為手機專用SPXO有源晶振X1G005601024800,愛普生公司成立至今已有幾十年的發展歷程,一直以來以精益求精的精神,創造許多優質的晶振產品,并幫助廣大用戶解決在晶體行業所遇到的問題,以及提供完美的石英晶振解決方案,以獲得用戶的支持和信賴,作為一家不斷成長的優秀企業,愛普生公司不斷精進自身的技術,作為一個領導者,明白用戶需求的重要性,同時也明白要將眼光放至更長遠的未來,主動承擔起社會責任。當今世界中,人類正面臨著氣候變化、新冠疫情等牽一發而動全身的全球危機,想要成為消費者心中不可或缺的企業,必然要在產品之外給予消費者更多社會價值。
愛普生非常高興推出了SG-8018CG晶振,石英晶體振蕩器編碼X1G005601024800,頻率64.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC,SG-8018系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。而這個系列提供了相同的頻率和其他參數的簡單可編程性比較早SG-8002/SG-8003系列,它們還具有更寬的工作溫度范圍,最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0毫米的封裝,這將使電子制造商節省電路板空間振蕩器也將提供以下流行的包裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列的振蕩器有大約66%的緊密頻率公差和電流消耗比同類產品低50%,可廣泛使用環境條件。這也將大大提高性能,降低功率要求,速度快開發周期和小批量生產。
華為手機專用SPXO有源晶振X1G005601024800,愛普生晶振以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界。在電子部件幅員中,2008年石英振蕩器(包括Cystral和OSC)的市場規模僅約為半導體(約2600億美元)的2%(約50億美元)不到,算是利基市場,也因此身為其間的指導廠商,EPSON(Epson Toyocom的營業額高達800億日圓)最大的希望是要讓石英部件產業更上一層樓.
愛普生非常高興推出了SG-8018CG晶振,石英晶體振蕩器編碼X1G005601024800,頻率64.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC,SG-8018系列是具有CMOS輸出的可編程晶體振蕩器系列。而這個系列提供了相同的頻率和其他參數的簡單可編程性比較早SG-8002/SG-8003系列,它們還具有更寬的工作溫度范圍,最高極限為105°C。除了2.5 × 2.0毫米的封裝,這將使電子制造商節省電路板空間振蕩器也將提供以下流行的包裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列的振蕩器有大約66%的緊密頻率公差和電流消耗比同類產品低50%,可廣泛使用環境條件。這也將大大提高性能,降低功率要求,速度快開發周期和小批量生產。
愛普生晶振 | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. |
X1G005601024800 | SG-8018CG | 64.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601024900 | SG-8018CG | 3.579545 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025000 | SG-8018CG | 66.380000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025100 | SG-8018CG | 14.318000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025200 | SG-8018CG | 13.330000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025300 | SG-8018CG | 16.625000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025400 | SG-8018CG | 99.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025500 | SG-8018CG | 1.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025600 | SG-8018CG | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026100 | SG-8018CG | 39.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026200 | SG-8018CG | 68.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026500 | SG-8018CG | 6.750000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026800 | SG-8018CG | 24.545400 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026900 | SG-8018CG | 49.090902 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027000 | SG-8018CG | 33.300000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027100 | SG-8018CG | 9.216000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027200 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027300 | SG-8018CG | 30.720000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027400 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027500 | SG-8018CG | 135.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027600 | SG-8018CG | 33.177600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
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