正確計(jì)算SSP-T7-F晶振負(fù)載
來(lái)源:http://m.11ed.cn 作者:jinluodz 2013年09月25
精工石英晶振,以優(yōu)質(zhì)的質(zhì)量體系占領(lǐng)晶體行業(yè)市場(chǎng),精工產(chǎn)品具有體型小,耐溫高,性能優(yōu)越,厚度薄,重量輕等特點(diǎn) ,符合歐盟的環(huán)保要求規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性,選擇精工產(chǎn)品,締造精工品質(zhì)
我們都知道晶振都會(huì)有他相對(duì)應(yīng)的規(guī)格參數(shù),負(fù)載電容、額定頻率范圍、頻率公差(標(biāo)準(zhǔn))、工作溫度、儲(chǔ)存溫度、激勵(lì)功率等。本文兆現(xiàn)電子將對(duì)負(fù)載電容這一參數(shù)做出明確的解釋。我們平時(shí)跟客戶溝通的時(shí)候經(jīng)常會(huì)問他們所需求晶振的負(fù)載電容是多少,然而可能連我們自己都不是很明白負(fù)載電容究竟是什么?那么這個(gè)負(fù)載電容對(duì)于石英晶振究竟具有什么樣的含義呢?
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個(gè)測(cè)試條件,也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振;另一個(gè)為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會(huì)造成電器工作不正常。一般情況下,增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降,而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。
負(fù)載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
晶振的負(fù)載電容是分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十PF。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,一般客戶向我們?cè)儐柧д駮r(shí)我們都會(huì)問他們所需晶振的負(fù)載電容是多少。晶振上接的一個(gè)電阻是反饋?zhàn)饔茫拐袷幤魅菀灼鹫瘛?br />
晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確,那么買來(lái)的晶體準(zhǔn)確度就會(huì)差,關(guān)于負(fù)載電容的計(jì)算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。
下面是精工貼片晶振SSP-T7-F的負(fù)載電容求得值。計(jì)算公式為:晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic(集成電路內(nèi)部電容)+△C(PCB上電容)一般為3至5pf。
要了解一個(gè)產(chǎn)品,首先就得從根本上去了解,從晶片說(shuō)起,精工晶振的內(nèi)部晶片采用的全是光刻鍍金工藝,而相同是日本其它晶體品牌來(lái)說(shuō)工藝技術(shù),成本等完全就不一樣。日本其它晶體企業(yè)采用的是激光或者是水磨,鍍銀技術(shù)。在看看外殼支架,采用的是銅加銀加鎳材料,使用上來(lái)說(shuō),精工晶振可以采用回流焊接溫度260度5分鐘的高溫。外觀尺寸方面,精工晶體最早采用SMD模式,而且精工晶體產(chǎn)品基本被高端主流電子產(chǎn)品采用,好比全球最小的一顆32.768K插件晶體1.2*4.7mm,率先被廣泛使用到MP3,MP4等電子產(chǎn)品,SSP-T7-F晶振這顆料,被瘋狂的使用于移動(dòng)手機(jī),智能手機(jī),觸摸筆記本等較高端的產(chǎn)品,精工晶體!精工品質(zhì)!如果你的產(chǎn)品需要使用石英晶振,精工品牌請(qǐng)選擇深圳金洛電子國(guó)內(nèi)正規(guī)授權(quán)代理商,我們可為您推薦產(chǎn)品以及介紹產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)和正確使用方法,因此金洛電子是您放心信賴的合作伙伴。
我們都知道晶振都會(huì)有他相對(duì)應(yīng)的規(guī)格參數(shù),負(fù)載電容、額定頻率范圍、頻率公差(標(biāo)準(zhǔn))、工作溫度、儲(chǔ)存溫度、激勵(lì)功率等。本文兆現(xiàn)電子將對(duì)負(fù)載電容這一參數(shù)做出明確的解釋。我們平時(shí)跟客戶溝通的時(shí)候經(jīng)常會(huì)問他們所需求晶振的負(fù)載電容是多少,然而可能連我們自己都不是很明白負(fù)載電容究竟是什么?那么這個(gè)負(fù)載電容對(duì)于石英晶振究竟具有什么樣的含義呢?
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個(gè)測(cè)試條件,也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振;另一個(gè)為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會(huì)造成電器工作不正常。一般情況下,增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降,而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。
負(fù)載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
下面是精工貼片晶振SSP-T7-F的負(fù)載電容求得值。計(jì)算公式為:晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,Cic(集成電路內(nèi)部電容)+△C(PCB上電容)一般為3至5pf。
要了解一個(gè)產(chǎn)品,首先就得從根本上去了解,從晶片說(shuō)起,精工晶振的內(nèi)部晶片采用的全是光刻鍍金工藝,而相同是日本其它晶體品牌來(lái)說(shuō)工藝技術(shù),成本等完全就不一樣。日本其它晶體企業(yè)采用的是激光或者是水磨,鍍銀技術(shù)。在看看外殼支架,采用的是銅加銀加鎳材料,使用上來(lái)說(shuō),精工晶振可以采用回流焊接溫度260度5分鐘的高溫。外觀尺寸方面,精工晶體最早采用SMD模式,而且精工晶體產(chǎn)品基本被高端主流電子產(chǎn)品采用,好比全球最小的一顆32.768K插件晶體1.2*4.7mm,率先被廣泛使用到MP3,MP4等電子產(chǎn)品,SSP-T7-F晶振這顆料,被瘋狂的使用于移動(dòng)手機(jī),智能手機(jī),觸摸筆記本等較高端的產(chǎn)品,精工晶體!精工品質(zhì)!如果你的產(chǎn)品需要使用石英晶振,精工品牌請(qǐng)選擇深圳金洛電子國(guó)內(nèi)正規(guī)授權(quán)代理商,我們可為您推薦產(chǎn)品以及介紹產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)和正確使用方法,因此金洛電子是您放心信賴的合作伙伴。
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