微處理器是一種中央處理器由多個(gè)大規(guī)模集成電路組合而成，主要作用是執(zhí)行系統(tǒng)命令，收取命令，交換邏輯元件及存儲(chǔ)器的信息傳輸。是現(xiàn)在代化工業(yè)，商業(yè)，民用級(jí)領(lǐng)域產(chǎn)品核心部件，在生活中無處不存在。微處理器采用的電子元器件有非常多種，晶振是其中一種比較重要的，如果沒有晶振微處理器將無法完成工作，微處理器選用石英晶振也有一套嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，接下來，金洛鑫電子就帶大家一起看看，正確的為微處理器選擇的方法和負(fù)電阻測量。
除非在微處理器數(shù)據(jù)表中另有規(guī)定，否則本文可用作選擇晶體的一般指導(dǎo)，該晶體可與許多領(lǐng)先的微處理器制造商一起使用。大多數(shù)微處理器都包括一個(gè)帶正反饋電阻（典型值為1MO）的逆變器設(shè)計(jì)，帶有一個(gè)可選的串聯(lián)電阻，其值在10歐姆到1K歐姆之間變化。

具有輸入端口（通常稱為XIN，XI，XTALI或類似性質(zhì)）和輸出端口（XOUT，XO，XTALO或類似性質(zhì)），用于這兩個(gè)端口之間的晶體單元連接。大多數(shù)芯片都設(shè)計(jì)有一個(gè)選項(xiàng)，可以通過外部石英晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)輸入到晶體輸入端口，也可以使用外部晶振驅(qū)動(dòng)。
繪制晶體振蕩器根據(jù)共振頻率，可以選擇晶體作為基波或泛音模式。通常，28MHz以上的頻率需要第三個(gè)泛音模式以獲得價(jià)格優(yōu)勢和交付。在并聯(lián)模式中，晶體電抗是電感性的，需要兩個(gè)外部電容器（C1）和（C2）來實(shí)現(xiàn)必要的振蕩相移。無論晶體處于基本模式還是泛音模式，都需要C1和C2。C1和C2的值由芯片制造商規(guī)定，從6pF到47pF不等。
C1和C2可能不平衡，即值相等，但有時(shí)會(huì)以特定比率（C1/C2）偏移以獲得最佳性能，具體取決于石英晶振和放大器特性以及電路板布局。下圖示出了基模操作的典型配置。

在泛音模式中，需要額外的電感器L1和電容Cc來選擇第三泛音模式，同時(shí)抑制或拒絕基模。選擇第三泛音晶體電路中的L1和Cc值以滿足以下條件。來自串聯(lián)諧振電路的L1，Cc分量的頻率低于基頻，這使得電路在基頻下看起來是電感性的。這種情況不利于基模的振蕩。繪制有源晶振來自并聯(lián)諧振電路的L1，Cc和C2分量的頻率大約在基波和第三泛音頻率之間的中間。這種情況使電路在第三泛音頻率處電容，這有利于在所需的泛音模式下的振蕩。

在標(biāo)準(zhǔn)泛音模式下，C2值從10pF到30pF不等。Cc值應(yīng)選擇至少為C2值的10倍，因此其等效C-equiv。將近似值。不同Quartz Crystal頻率的L1典型值：

圖中示出了40.320MHz，第三泛音模式操作的典型電路配置。

負(fù)電阻測量：
當(dāng)晶體單元在振蕩電路中作為感應(yīng)無功電抗被驅(qū)動(dòng)時(shí)，諧振器單元和振蕩電路之間的關(guān)系如下圖所示。為了改善振蕩電路的起始條件，可以增加振蕩電路的值。負(fù)電阻-R-振蕩電路的哪個(gè)參數(shù)。如果沒有很大負(fù)電阻（較小負(fù)電阻）的電路與具有較大諧振電阻的晶體單元組合，則啟動(dòng)條件將變得更糟。振蕩電路應(yīng)設(shè)計(jì)成使得負(fù)電阻值為諧振電阻的5至10倍。

還需要將負(fù)載電容的中心值（確定振蕩頻率的絕對(duì)值）和可變范圍（振蕩頻率的微調(diào)范圍）保持在振蕩電路中的最佳值。
負(fù)阻測量程序：
打開所用主電路中晶體單元的任一端，并將可變電阻器串聯(lián)插入石英晶體單元，如圖E所示。改變電阻值以檢查當(dāng)時(shí)觀察到的振蕩極限和電阻（歐姆）。在這種情況下，必須打開和關(guān)閉電源電路。電路中的負(fù)電阻（-R）是通過上述方法獲得的值與晶體的諧振電阻R1之和。該測量應(yīng)在工作頻率的上限和下限進(jìn)行。
為微處理器選擇合適可降低成本的石英晶體并不復(fù)雜，考究的是設(shè)計(jì)者和工程的專業(yè)性，金洛鑫電子是進(jìn)口晶振代理商，除了產(chǎn)品還提供技術(shù)支持服務(wù)，可協(xié)助廣大新老客戶選擇產(chǎn)品所需的石英晶體和時(shí)鐘振蕩器。有任何與晶振相關(guān)的，都可以聯(lián)系我司，客戶的滿意度，就是我們追求完美的動(dòng)力。

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