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人造水晶
關于人工晶體
人工晶體的歷史
歷史的人工晶體在意大利長大人工晶體的水熱合成法,在1905年開始在喬治拉斯佩齊亞培訓,研究開始于1953年在日本山梨大學。加入到改進的生長爐的高溫和高壓,所謂的高壓釜中,訓練技術得到改善,那么,人工晶體工業化單位7公斤生長爐產量開始于1959年。
然后,大批量生產的人工晶體的質量和天然水晶相同的水平可能技術的進步,促進將高壓釜的尺寸增加,在1973年3 1米和一個全規模大規模生產的高壓釜用體積比出現實現了。內部容積為4m 3高壓釜超過,每單位生產量也有兩噸(2000千克)或更多。
人工晶體的特點
一般性質 | |
---|---|
硬度 | 莫氏硬度7 |
比重 | 2.65×103千克/米3 |
折射率 |
(對于波長589.3nm) 和1.5443(普通射線) 1.5534(射線非凡) |
晶系 | 三方晶系 |
化學成分 | SIO2 |
介電常數 | 4.5 |
轉變溫度 | 573℃ |
可溶性 | 溶解在氟化合物 |
和人造水晶的發展
人工晶體的方法稱為使用(晶體熔化許多高溫度)的晶體在堿性溶液中的溶解度是不同的取決于溫度,氣氛的高溫和高壓力,在所謂的水熱合成方法,以促進生長。
稱為高壓釜中的生長爐內壓力容器,其中鈉2 CO 3的晶體生長在超臨界狀態下,通過填充堿性的NaOH溶液,加熱,等等。人工晶體的生長受原料被溶解在高溫度和高壓力移動從底部到頂部溶液對流和維持在高壓釜的頂部較低的溫度比底部,被沉積晶種。根據不同的應用,將大小調整的生長條件下,具有不同特性的形狀和大小的晶種,人工晶體的取向將培訓。人工晶體生長足夠的管理下,具有均勻質量的形狀和尺寸來控制。
晶種
籽晶的取向是由石英晶振制造的經濟效果。從生長在晶種切割和R Z切塊,與厚度切變振動,這是用于高頻帶的人工晶體,所制造的中間頻帶的振動換能器的輪廓。
已被用于X軸旋轉系統的晶種的晶體振蕩器使用低頻帶的彎曲振動和伸縮振動。
這也給了一個顯著的晶體質量的影響可能是薄薄的一層稱為生長的晶體的晶種的表面上形成由異物的種子面紗。
人工晶體質量評價
金額在人工晶體的雜質和缺陷,影響增長率,添加劑和原料。的生長速率的紅外吸光系數,特別是:的人工晶體的頻率溫度特性(α,存在與Q值)的影響的重要特性。(Q值降低)和α提高生長速度快,我會引起的頻率 - 溫度特性的變化。
這是石英晶體振蕩器的Q值,5泛音5MHz的振蕩器晶體片,人工晶體質量指示符的早期,人工的Q值換能器及其制造保留的條款和條件的變化,由于不易受它被用來更準確地反映晶體本身的內部損耗。然而,晶體片直徑較大的有必要在該方法中,它不能從Z區域振動器還。測量的Q值的Q值的估算通過測量紅外吸收系數α由振動器的制造方法,采用目前需要很多時間和精力。具有這種方式的優點在于,可以很容易地測量,可??以檢測到任何變化,由于小區域的生長是可能的。
這種晶體是適合使用的,如高品質的振蕩器的高頻帶中人工晶體的估計Q值C級或以上,所以顯示了等效的頻率 - 溫度特性和高品質的天然水晶。α是非常小的,從生產特定的具體的變化在相同的特定的條件下生長工序中提取樣品進行評價時,選擇晶體在特定的最大的Z尺寸管理你。究其原因,α成比例地增加,生長速率,最大結晶,因為示出(Q最低值)的最大α值,在同一批次中的Z尺寸。
標準規格
品種 | 產品名稱 | 尺寸 |
的蝕刻 通道 密度品位 |
∂3585 最大值 |
異物密度 品位 |
取向 (θ) |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
X | ? | Ÿ | ||||||
±0.2 | ±0.2 | ±5 | ||||||
?板 | PB-18 | 9 | 18.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' |
PB-19 | 9.5 | 19.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-20 | 10.5 | 20.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-23 | 23.5 | 18.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-31 | 31.0 | 18.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-38 | 65.0 | 38.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-41 | 65.0 | 41.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
SB-02 | 53.0 | 46.??0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
SB-03 | 76.0 | 65.0 | 220 | 一 | 0.069 | II? | 0°00' | |
SB-04 | 100.0 | 85.0 | 240 | 一 | 0.069 | II? | 0°00' |
粒徑(μm)→ | 每個年級的異物密度 | |||
---|---|---|---|---|
級↓ | 10-30 | 30-70 | 70-100 | 100多名 |
我一個 | 二 | 一 | 0 | 0 |
I B | 三 | 二 | 一 | 一 |
我 | 六 | 四 | 二 | 二 |
二 | 九 | 五 | 四 | 三 |
三 | 十二 | 八 | 六 | 四 |
紅外吸收系數α
紅外吸收系數α級以下類別:JIS C 6704和IEC758。
級↓ | 每個年級的最大價值 | 估計Q值(參考號) |
---|---|---|
α3585 | (X104) | |
AA | 0.015 | 380 |
一 | 0.024 | 300 |
乙 | 0.050 | 240 |
Ç | 0.069 | 180 |
ð | 0.100 | 140 |
ê | 0.160 | 百 |
蝕刻通道密度
蝕刻通道密度,在下列幾類:一個檔次的JIS C 6704和IEC758。
級 | 通道數(書/厘米2) |
---|---|
1AA | 二 |
1A | 五 |
一 | 十 |
二 | 三十 |
三 | 百 |
四 | 300 |
本公司的種子質量可以保證蝕刻通道密度2級的所有品種。
此外,在支持1級也可以選擇你的客戶購買規格。
籽晶的取向,尺寸和位置
籽晶的取向為0°00'±15'。此外,大小的Z軸方向和1.5mm±0.5mm時,晶種包括在圖中所示的陰影部分的面積。(如果它主要是在Z軸方向上的大小,寬度為3mm或更小)
蘭伯特人工晶體標準 | |
角 | |
Z平面的X軸旋轉角度: | 0°00'±30' |
Y軸旋轉角度的X戰警: | 0°00'±15' |
Z軸旋轉角度的X戰警: | 0°00'±15' |
尺寸公差為±0.1mm在X·Z軸方向 | |
12.5微米十點平均粗糙度表面粗糙度(#80鉆石) |
人工晶體的典型
人工晶體SAW器件(4英寸)
表面聲波元件是使用波沿表面振動能量集中在壓電基片的表面上的。
小振蕩器,濾波器人工晶體
它用于高可靠性小型晶體振蕩器全密封的密封形式,和過濾器。
對于一般的使用人造水晶
它是用在汽車發動機控制處理器·數控機床和機器人互動電視,傳真,等回家和國外,在其他領域。
小振蕩器,濾波器珠寶玉石質量 | |
SAW器件珠寶玉石質量 | |
外國材料等級 | II或更高 |
紅外吸收系數 | C或更高 |
蝕刻通道 | 30 /厘米2 |
空白標準規范
概述 | 的厚度 | 表面光潔度 | 主要面 | 取向平 | 輪廓 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
公差 ±0.05 |
公差 ±0.05 |
角度公差 |
尺寸 公差(H) |
角度公差 | 完 | ||
圓板 | Φ6.0 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 |
Φ8.0 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 | |
Φ8.7 | 0.20至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 | |
Φ79.0 | 0.50 | I·II·III | '±1' | ±0.5 | ±15' | #400 | |
Φ102.0 | 0.50 | I·II·III | '±1' | ±0.5 | ±15' | #400 | |
角 | 9×9 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 |
10×10 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 | |
12×12 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 | |
80×80 | 0.50 | 我·II | '±1' | - | - | 第240 | |
102×102 | 0.50 | 我·II | '±1' | - | - | 第240 |
表面光潔度
(I):#1000(II):#2000(三):拋光
厚度頻率也可以完成。
方向平面尺寸公差h的尺寸高度方向。
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